mgr Michał Łopuszyński, Uniwersytet Warszawski

Wieloskalowe modelowanie półprzewodników azotkowych i ich stopów

Azotki, a w szczególności AlN, GaN, InN i ich stopy, stanowią ważną z punktu widzenia zastosowań w optoelektronice grupę półprzewodników. Materiały te wzbudziły zainteresowanie naukowców i inżynierów dopiero stosunkowo niedawno. Dlatego też wiele własności tych związków nie zostało jeszcze dostatecznie dobrze zbadanych i zrozumianych, zwłaszcza w porównaniu do stanu wiedzy o dojrzałych technologicznie materiałach, takich jak krzem czy arsenek galu. W prezentacji przedstawię, jak zastosowanie metod modelowania wieloskalowego pozwala pogłębić wiedzę o tych półprzewodnikach. Otrzymane wyniki będą dotyczyły trzech obszarów - nieliniowych własności elastycznych materiałów binarnych, strukturalnych i elastycznych właściwości stopów, oraz zjawisk porządkowania w potrójnych i poczwórnych mieszaninach AlN, GaN i InN. W badaniach wykorzystany został szeroki zakres metod teoretycznych – od kwantowego formalizmu funkcjonału gęstości elektronowej, przez metody oparte na mechanice klasycznej i walencyjnym polu siłowym Keatinga, po elementy teorii elastyczności.